文献类型：期刊文章

作　　者：黄雪飞[1] 苏杰[1] 廖健颖[1] 李盈傧[2] 黄诚[1]

Huang Xue-Fei;Su Jie;Liao Jian-Ying;Li Ying-Bin;Huang Cheng(Chongqing City Key Laboratory of Micro&Nano Structure Optoelectronics,School of Physical Science and Technology,Southwest University,Chongqing 400715,China;College of Physics and Electronic Engineering,Xinyang Normal University,Xinyang 464000,China)

机构地区：[1]西南大学物理科学与技术学院,微纳结构光电子学重庆市重点实验室,重庆400715 [2]信阳师范学院物理电子工程学院,信阳464000

出　　处：《物理学报》

基　　金：国家自然科学基金(批准号:11504302,12074329,12004323);河南省高等学校重点科研项目(批准号:20A140025)资助的课题。

年　　份：2022

卷　　号：71

期　　号：9

起止页码：87-95

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2020、CAS、CSCD、CSCD2021_2022、EAPJ、EI、IC、JST、RCCSE、SCIE、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、ZMATH、核心刊

摘　　要：利用数值求解含时薛定谔方程和强场近似理论研究了反向旋转双色椭偏光场中氩原子隧穿电离电子的干涉.固定两脉冲的椭偏率均为0.3,当两椭偏场的相对相位为0.25π时,光电子动量谱中周期内干涉、叉状全息干涉和弧形全息干涉相互重叠.当两椭偏场的相对相位为0时,光电子动量谱中弧形全息干涉消除,并且周期内干涉和叉状全息干涉被彻底分离到动量谱的左右部分,从而得到一个在空间上独立的叉状全息干涉条纹.进一步研究表明,通过改变两椭偏光场的椭偏率还可以增强或抑制该独立叉状全息干涉条纹.这为干涉条纹的控制和分离提供了一个有效的手段,同时也有利于从全息干涉条纹中提取靶材结构信息和电子超快动力学信息.

关 键 词：隧穿电离  双色场 相对相位  光电子全息干涉  

分 类 号：O562]