文献类型：期刊文章

作　　者：宁亚茹[1] 赵茜[1] 汤仙童[1] 陈敬[1] 吴凤娇[1] 贾伟尧[1] 陈晓莉[1] 熊祖洪[1]

Ning Ya-Ru;Zhao Xi;Tang Xian-Tong;Chen Jing;Wu Feng-Jiao;Jia Wei-Yao;Chen Xiao-Li;Xiong Zu-Hong(Chongqing Key Laboratory of Micro&Nano Structure Optoelectronics,School of Physical Science and Technology,Southwest University,Chongqing 400715,China)

机构地区：[1]西南大学物理科学与技术学院,微纳结构光电子学重庆市重点实验室,重庆400715

出　　处：《物理学报》

基　　金：国家自然科学基金(批准号:11874305,11374242)资助的课题~~。

年　　份：2022

卷　　号：71

期　　号：8

起止页码：283-294

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2020、CAS、CSCD、CSCD2021_2022、EAPJ、EI、IC、JST、RCCSE、SCIE、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、ZMATH、核心刊

摘　　要：本文把同分异构体3,3’-Di(9H-carbazol-9-yl)biphenyl (m CBP)和4,4’-Bis(carbazol-9-yl)biphenyl (CBP)作为给体, PO-T2T作为受体,以质量比1∶1制备了两种激基复合物器件,并在不同温度和偏压下测量了器件的发光磁效应(magneto-electroluminescence, MEL).发现室温下m CBP为给体的器件,其MEL的低磁场部分表现出反向系间窜越(reverse intersystem crossing, RISC)过程,降温时该RISC转变为系间窜越(intersystem crossing, ISC)过程;而CBP为给体的器件则表现出ISC过程,且降温时ISC过程先减弱后增强.室温下两种器件MEL的高磁场部分都体现为三重态激子与电荷的猝灭,但在20 K下CBP为给体的器件还出现了三重态-三重态激子湮灭.两种完全相反的低磁场线型与m CBP和CBP不同的结构导致三重态激子能量的高低有关.低温下微观过程的改变是因为低温不利于RISC过程、ISC过程和能量损失等演化通道.此外,当m CBP:PO-T2T质量比从1∶4到1∶1再到4∶1时,器件中的RISC过程越来越强,这是由于器件更趋平衡有利于RISC过程的结果.当以两种激基复合物为主体掺入TBRb荧光客体材料,在m CBP:PO-T2T为主体的器件中得到了更高的外量子效率.本工作为制备高效率激基复合物发光器件提供了实验和理论参考.

关 键 词：激基复合物 电致发光磁效应  三重态能量  反向系间窜越  

分 类 号：TB30[材料类] TN383.1]