期刊文章详细信息
Fe、Ir掺杂单层MoS_(2)的构型及电子结构的第一性原理研究
First principles study of the configuration and electronic structure of Fe and Ir doped monolayer MoS_(2)
文献类型:期刊文章
XIAO Xiangzhen;YIN Zhaoli;ZHANG Jianwei;HU Linfeng(Experimental Management Center,Henan Institute of Science and Technology,Xinxiang 453003,China;School of Information Engineering,Xinxiang Institute of Engineering,Xinxiang 453007,China)
机构地区:[1]河南科技学院实验管理中心,河南新乡453003 [2]新乡工程学院信息工程学院,河南新乡453700
基 金:河南省科技攻关项目(212102110148)。
年 份:2022
卷 号:50
期 号:2
起止页码:7-13
语 种:中文
收录情况:RCCSE、普通刊
摘 要:采用密度泛函理论方法对MoS_(2)完整表面、吸附式掺杂和替换掺杂缺陷MoS_(2)表面(Fe-MoS_(2)、Ir-MoS_(2))的构型、电子结构进行了研究.结果表明:通过比较Fe、Ir原子吸附的吸附能,发现Ir比Fe在表面的吸附性更强,且在Mo原子的上方吸附最强,电子态密度分析说明了在Z方向上,Mo原子的4d_(yz)、4d_(z)^(2)、4d_(xz)轨道与Ir原子的5d_(yz)、5d_(z)^(2)、5d_(xz)态密度峰存在不同程度的混合,特别是d_(z)^(2)轨道之间存在明显混合;Fe、Ir金属原子掺杂替换本征表面MoS_(2)的S、Mo原子的计算结果显示,单层MoS_(2)的S位置更容易被替换形成掺杂体系,S位掺杂体系稳定性强于在Mo位掺杂体系,且电子态密度计算显示掺杂替换S原子后金属Ir有效调控了MoS_(2)的电子结构,激活了替换原子Ir附近Mo的反应活性.
关 键 词:MoS_(2) 密度泛函理论 态密度 掺杂
分 类 号:O641]
参考文献:
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