文献类型：期刊文章

作　　者：戴松利[1] 梁永超[1] 马家君[1]

DAI Song-Li;LIANG Yong-Chao;MA Jia-Jun(Institute of New Optoelectronic Materials and Technology,College of Big Data and Information Engineering,Guizhou University,Guiyang 550025,China)

机构地区：[1]贵州大学大数据与信息工程学院,新型光电子材料与技术研究所,贵阳550025

出　　处：《无机化学学报》

基　　金：国家自然科学基金(No.11964005,62163006);贵州大学培育项目([2020]33号)资助。

年　　份：2022

卷　　号：38

期　　号：4

起止页码：637-644

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2020、CAS、CSCD、CSCD2021_2022、IC、JST、RCCSE、SCIE、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理计算,研究了过渡金属元素Sc、Cr和Mn掺杂对Mg_(2)Ge晶体光、电、磁性质的影响。结果表明,Sc掺杂能使Mg_(2)Ge的费米能级进入导带,呈n型简并半导体;Cr和Mn掺杂能使Mg_(2)Ge能带结构和态密度在费米能级附近产生自旋劈裂而形成净磁矩,表现为半金属磁体和稀磁半导体,体系净磁矩均来自杂质原子3d轨道电子及其诱导极化的Ge4p态和Mg_(2)p态自旋电子。与本征Mg_(2)Ge相比,掺杂体系静态介电常数增大,扩展了吸收光谱,提升了近红外光波段吸收能力。

关 键 词：第一性原理 Mg_(2)Ge  电子结构 磁性  光学性质

分 类 号：TB31[材料类] O614.321]