文献类型：期刊文章

作　　者：董燕[1] 蒋玉茜[1] 王西国[1]

DONG Yan;JIANG Yu-qian;WANG Xi-guo(CEC Huada Electronic Design Co.,Ltd./Beijing Key Laboratory of RFID Chip Test Technology)

机构地区：[1]北京中电华大电子设计有限责任公司/射频识别芯片检测技术北京市重点实验室

出　　处：《中国集成电路》

年　　份：2022

卷　　号：31

期　　号：3

起止页码：85-89

语　　种：中文

收录情况：普通刊

摘　　要：工艺能力的不断提升使得高密度大容量存储器成为可能,伴随着存储器单元尺寸和芯片面积的不断缩小,介电质绝缘层厚度随之变薄,可靠性窗口不断变小,存储器循环擦写耐久性与长时间数据保持等可靠性问题变得敏感突出,面临严峻挑战。循环擦写耐久性评估存储器的可反复擦写性能,数据保持测试表征存储器在不带电或带电情况下长时间数据保持能力,考核浮栅存储电荷的保持能力。文章通过对存储器擦写耐久性和数据保持测试数据的分析比较,初步探讨了两者的失效机理,最后介绍了影响存储器擦写耐久性和数据保持能力的其他可能因素。

关 键 词：存储器 循环擦写耐久性  数据保持能力  可靠性

分 类 号：TP333]