文献类型：期刊文章

作　　者：陈恒江[1] 周德金[2,3] 何宁业[4] 汪礼[4] 陈珍海[3,4]

CHEN Hengjiang;ZHOU Dejin;HE Ningye;WANG Li;CHEN Zhenhai(Wuxi I-CoreElectronicsCo.,Ltd.,Wuxi 214072,China;School of Microelectronics,Fudan University,Shanghai 200443,China;Wuxi Research Institute of Applied Technologies,Tsinghua University,Wuxi 214072,China;Engineering Technology Research Center of Intelligent Microsystems of AnHui Province,Huangshan University,Huangshan 245041,China)

机构地区：[1]无锡中微爱芯电子有限公司,江苏无锡214072 [2]复旦大学微电子学院,上海200443 [3]清华大学无锡应用技术研究院,江苏无锡214072 [4]黄山学院智能微系统安徽省工程技术研究中心,安徽黄山245041

出　　处：《电子与封装》

基　　金：安徽省重点研究与开发计划(201904b11020007);安徽省高校自然科学研究项目(KJHS2020B07)。

年　　份：2022

卷　　号：22

期　　号：2

起止页码：50-53

语　　种：中文

收录情况：普通刊

摘　　要：设计了一种用于GaN高电子迁移率晶体管(High-Electron-Mobility Transistor,HEMT)器件栅驱动芯片的快速响应低压差线性稳压器(Low Dropout Regulator,LDO)电路,可为高速变化的数字电路提供快速响应的供电电压。该电路采用动态偏置结构,通过在大负载发生时给误差放大器增加一个额外的动态偏置结构,来加快输出端的瞬态响应速度。基于0.18μm BCD工艺,完成了电路设计验证。仿真结果显示LDO瞬态响应时间小于0.5μs,可满足频率达1 MHz的GaN HEMT器件栅驱动芯片应用要求。

关 键 词：高电子迁移率晶体管 栅驱动 低压差线性稳压器 快速响应

分 类 号：TN402]