期刊文章详细信息
文献类型:期刊文章
XU Bin;WANG Yan;GAO Jian-wei(Sichuan Management and Monitoring Center Station of Radioactive Environment,Chengdu 610000,China;CGN Jiuyuan(Chengdu)Technology Co Ltd,Chengdu 610000,China)
机构地区:[1]四川省辐射环境管理监测中心站,成都610000 [2]中广核久源(成都)科技有限公司,成都610000
年 份:2021
卷 号:41
期 号:4
起止页码:589-594
语 种:中文
收录情况:BDHX、BDHX2020、CAS、IC、JST、SCOPUS、核心刊
摘 要:使用LB6411剂量仪对D-T中子发生器中子参数展开测量研究。利用LB6411剂量仪建立中子发射率测量方法,获取D-T中子发生器中子发射率,并将其与活化片法测量结果进行比较,验证该方法可行性。分别改变DT中子发生器离子源电流以及加速极电压参数,在不同参数条件下进行中子发射率计算,研究中子发射率与离子源电流、加速极电压参数的数学关系,建立D-T中子发生器中子发射率半经验计算模型。基于MCNP蒙特卡洛模拟计算开展吸收剂量以及D-T中子发生器中子品质因数的测量研究,为后续D-T中子发生器的应用提供指导。
关 键 词:剂量当量 中子发射率 吸收剂量 品质因数
分 类 号:TL8]
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