期刊文章详细信息
寄生电感对于功率MOSFET开关特性的影响
Influence of Parasitic Inductance on Switching Characteristics of Power MOSFET
文献类型:期刊文章
YANG Wenjie(Huayu Automotive Electric Drive System Co.,Ltd.,Shanghai 200135,China)
机构地区:[1]华域汽车电动系统有限公司,上海200135
年 份:2021
卷 号:48
期 号:12
起止页码:94-103
语 种:中文
收录情况:AJ、UPD、ZGKJHX、普通刊
摘 要:分散在MOSFET栅极、源极、漏极的寄生电感由于封装以及印制电路板(PCB)走线,改变了MOSFET的开关特性。通过仿真分析对比,指出MOSFET寄生电感存在如下特性:源极电感对栅极驱动形成负反馈,导致开关速度变慢,采用开尔文连接,可以将栅极回路与功率回路解耦,提高驱动速度;在米勒效应发生时刻需要合理地降低栅极电感来降低栅极驱动电流;漏极电感通过米勒电容影响MOSFET的开通速度,在关断时刻导致电压应力增加;在并联的回路当中,非对称的布局将导致MOSFET之间的动态不均流;当MOSFET在开关过程中,环路电感与MOSFET自身的结电容产生振荡时,可以在电路增加吸收电容减小环路电感,改变振荡特性。
关 键 词:寄生电感 MOSFET振荡 开关特性 并联 米勒效应
分 类 号:TN32]
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