登录    注册    忘记密码

期刊文章详细信息

寄生电感对于功率MOSFET开关特性的影响    

Influence of Parasitic Inductance on Switching Characteristics of Power MOSFET

  

文献类型:期刊文章

作  者:杨文杰[1]

YANG Wenjie(Huayu Automotive Electric Drive System Co.,Ltd.,Shanghai 200135,China)

机构地区:[1]华域汽车电动系统有限公司,上海200135

出  处:《电机与控制应用》

年  份:2021

卷  号:48

期  号:12

起止页码:94-103

语  种:中文

收录情况:AJ、UPD、ZGKJHX、普通刊

摘  要:分散在MOSFET栅极、源极、漏极的寄生电感由于封装以及印制电路板(PCB)走线,改变了MOSFET的开关特性。通过仿真分析对比,指出MOSFET寄生电感存在如下特性:源极电感对栅极驱动形成负反馈,导致开关速度变慢,采用开尔文连接,可以将栅极回路与功率回路解耦,提高驱动速度;在米勒效应发生时刻需要合理地降低栅极电感来降低栅极驱动电流;漏极电感通过米勒电容影响MOSFET的开通速度,在关断时刻导致电压应力增加;在并联的回路当中,非对称的布局将导致MOSFET之间的动态不均流;当MOSFET在开关过程中,环路电感与MOSFET自身的结电容产生振荡时,可以在电路增加吸收电容减小环路电感,改变振荡特性。

关 键 词:寄生电感 MOSFET振荡  开关特性 并联 米勒效应  

分 类 号:TN32]

参考文献:

正在载入数据...

二级参考文献:

正在载入数据...

耦合文献:

正在载入数据...

引证文献:

正在载入数据...

二级引证文献:

正在载入数据...

同被引文献:

正在载入数据...

版权所有©重庆科技学院 重庆维普资讯有限公司 渝B2-20050021-7
 渝公网安备 50019002500408号 违法和不良信息举报中心