期刊文章详细信息
文献类型:期刊文章
LANG Xing-Kai;JIA Peng;QIN Li;CHEN Yong-Yi;LIANG Lei;LEI Yu-Xin;SONG Yue;QIU Cheng;WANG Yu-Bing;NING Yong-Qiang;WANG Li-Jun(State Key Laboratory of Luminescence and Application,Changchun Institute of Optics,Fine Mechanics and Physics,Chinese Academy of Sciences,Changchun 130033,China;Daheng College,University of Chinese Academy of Sciences,Beijing 100049,China)
机构地区:[1]中国科学院长春光学精密机械与物理研究所发光学及应用国家重点实验室,吉林长春130033 [2]中国科学院大学大珩学院,北京100049
基 金:国家重点基础研究发展计划(2018YFB0504600,2017YFB0405100);国家自然科学基金(61904179,62004194);吉林省科技发展计划项目(20200401062GX)。
年 份:2021
卷 号:40
期 号:6
起止页码:721-724
语 种:中文
收录情况:AJ、BDHX、BDHX2020、CAS、CSCD、CSCD2021_2022、DOAJ、EI、IC、JST、RCCSE、SCIE、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、核心刊
摘 要:为了获得高功率、窄线宽和近衍射极限输出的半导体激光器,采用高阶光栅(high order Bragg gratings,HOBGs)和主控振荡功率放大器(Master Oscillator Power-Amplifier,MOPA)结构,成功研制出一种980 nm波段的HOBGs-MOPA半导体激光器。该激光器采用周期为11.37μm的高阶光栅进行光模式选择,通过锥角为6°的锥形波导将单模激光功率放大,实现了输出功率2.8 W,3 dB光谱线宽31 pm,光束质量因子M2为2.51的窄线宽激光输出。
关 键 词:半导体激光器 大功率 窄线宽 高阶光栅
分 类 号:TN3]
参考文献:
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引证文献:
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同被引文献:
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