文献类型：期刊文章

作　　者：王会涛[1,2] 张平化[1,2] 苏展[2,3]

WANG Huitao;ZHANG Pinghua;SU Zhan(ZTE Photonics Technology Co.,Ltd.,Nanjing 210012,China;State Key Laboratory of Mobile Network and Mobile Multimedia,Shenzhen 518057,China;ZTE Corporation,Shenzhen 518057,China)

机构地区：[1]中兴光电子技术有限公司,中国南京210012 [2]移动网络和移动多媒体技术国家重点实验室,中国深圳518057 [3]中兴通讯股份有限公司,中国深圳518057

出　　处：《中兴通讯技术》

年　　份：2021

卷　　号：27

期　　号：6

起止页码：40-46

语　　种：中文

收录情况：IC、JST、RCCSE、ZGKJHX、普通刊

摘　　要：800 Gbit/s光模块场景包括SR(100 m场景)、DR/FR/LR(500 m/2 km/10 km场景)、ER/ZR(40 km/80 km场景)。结合商用规律和技术成熟度两个维度,提出了单模方案下沉、单波200 Gbit/s来临、相干下沉3个趋势判断。预测了800 Gbit/s主流模块接口形态,具体包括基于直接调制激光器(DML)/硅光(SiPh)的800 Gbit/s SR8、基于电吸收调制激光器(EML)/SiPh的800 Gbit/s DR4、基于EML的800 Gbit/s FR4、基于EML的800 Gbit/s LR8和基于相干的800 Gbit/s ER/ZR。

关 键 词：单模方案下沉  单波200 Gbit/s  相干下沉  

分 类 号：TN929.1]