期刊文章详细信息
一种SiC MOSFET并联的稳态电-热分布预测模型
A forecasting model of static electro-thermal distribution between paralleled SiC MOSFETs
文献类型:期刊文章
ZHU Zi-yue;QIN Hai-hong;CHEN Di-ke;PAN Guo-wei(Hua LOOKENG Honors College and Xbot School,Changzhou University,Changzhou 213164,China;Key Laboratory for More-Electric-Aircraft Power System of Ministry of Industry and Information Technology,Nanjing University of Aeronautics and Astronautics,Nanjing 211106,China)
机构地区:[1]常州大学华罗庚学院机器人产业学院,江苏常州213164 [2]多电飞机电气系统工业与信息化部重点实验室,南京航空航天大学,江苏南京211106
基 金:国家自然科学基金(51677089);常州大学2020年校级教研课题项目(GJY20020095)。
年 份:2021
卷 号:40
期 号:12
起止页码:1-9
语 种:中文
收录情况:AJ、BDHX、BDHX2020、CSCD、CSCD_E2021_2022、JST、RCCSE、ZGKJHX、核心刊
摘 要:SiC MOSFET分立器件的并联已在中大功率的电力电子设备中广泛使用,为充分利用并联使用的优势,避免不当并联可能产生的电-热失衡现象,需提前预测开关管并联工作时的稳态电-热分布情况。而由于半导体器件在生产过程中的差异性不可避免,即使是同一厂商生产的同一型号SiC MOSFET,在关键参数如阈值电压U_(TH)和导通电阻R_(DS(ON))上都有所差异,而这些参数正是影响器件并联动静态电流分布和电-热分布的关键参数。本文研究了影响器件并联动静态电流分布和电-热分布的因素以及关键参数的温度分布特性,并在此基础上提出了一种电-热分布特性的预测模型,最后搭建了实验平台验证了预测模型的准确性。
关 键 词:SiC MOSFET 并联开关管 电-热分布预测模型
分 类 号:TN386]
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