文献类型：期刊文章

作　　者：王熠欣[1] 谢泉[1] 邹江[1]

WANG Yi-Xin;XIE Quan;ZOU Jiang(College of Big Data and Information Engineering,Institute of New Optoelectronic Materials and Technology,Guizhou University,Guiyang 550025,China)

机构地区：[1]贵州大学大数据与信息工程学院新型光电子材料与技术研究所,贵阳550025

出　　处：《原子与分子物理学报》

基　　金：国家自然科学基金(61264004);贵州省高层次创新型人才培养项目(黔科合人才(2015)4015)。

年　　份：2021

卷　　号：38

期　　号：6

起止页码：145-150

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2020、CAS、IC、JST、核心刊

摘　　要：本文通过密度泛函理论第一性原理平面波超软赝势计算方法计算了Mn掺杂6H-SiC的电子结构与光学性质.计算结果显示掺杂Mn后的6H-SiC为间接带隙p型半导体,且带隙较本征体有所降低,带隙由2.022 eV降为0.602 eV,电子从价带跃迁所需能量减少.掺杂后的Mn的3d能级在能带结构中以杂质能级出现,提高了载流子浓度,导电性增强.光学性质研究中,掺杂Mn后的介电函数虚部在低能处增加,电子激发态数量增多,跃迁概率增大.掺杂后的光吸收谱能量初值也较未掺杂的3.1 eV扩展到0 eV,反射谱发生红移.由于禁带宽度的降低使得光电导率起始范围得到扩展.

关 键 词：6H-SIC 掺杂 电子结构 光学性质

分 类 号：O471]