文献类型：期刊文章

作　　者：王培羽[1] 王新[1] 谭封印[1] 张荣华[1]

WANG Peiyu;WANG Xin;TAN Fengyin;ZHANG Ronghua(College of Science,Changchun University of Science and Technology,Changchun 130022,CHN)

机构地区：[1]长春理工大学理学院电子科学与技术系,长春130022

出　　处：《半导体光电》

基　　金：国家自然科学基金项目(11874091)。

年　　份：2021

卷　　号：42

期　　号：5

起止页码：710-715

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2020、CAS、IC、JST、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：基于第一性原理,应用Materials Studio软件对2H-MoS_(2)的能带结构、态密度、光学特性等进行了模拟研究。结果表明:MoS_(2)是间接带隙半导体,禁带宽度约为1.1275e V;材料在紫外至可见光波段具有一定吸收,吸收系数随波长增加而减小,拉曼光谱在375和400cm^(-1)分别出现了E_(2g)^(1)和A_(1g)两个振动模式。在39.5°,33.5°等位置处出现了(103),(101)等晶面的衍射峰。采用磁控溅射的方法,在石英衬底上制备了不同厚度的MoS_(2)薄膜,发现该薄膜具有(101)择优取向,在375和407cm^(-1)处也分别出现了E_(2g)^(1)和A_(1g)两个拉曼峰。随着厚度的增加,薄膜在可见光波段透过率下降,光学带隙向长波长移动,模拟结果与实验结果基本吻合。

关 键 词：二硫化钼薄膜  第一性原理 磁控溅射 结构  光学

分 类 号：TQ125.1]