文献类型：期刊文章

作　　者：张敏[1,2] 金浩妮[2,3] 万飞[2] 宗平[2] 白煜[1,2]

ZHANG Min;JIN Haoni;WAN Fei;ZONG Ping;BAI Yu(School of Mechanical Engineering,Xi'an 710000,CHN;School of Nanoscience and Engineering Technology(Suzhou),Suzhou 215123,CHN;School of Material Science and Engineering,Xi'an Jiaotong University,Xi'an 710000,CHN)

机构地区：[1]西安交通大学机械工程学院,西安710000 [2]西安交通大学纳米科学与工程技术学院(苏州),江苏苏州215123 [3]西安交通大学材料科学与工程学院,西安710000

出　　处：《半导体光电》

基　　金：国家自然科学基金项目(22005237);江苏省自然科学基金项目(BK20191188,BK20190221);江苏省引智项目(BX2020032)。

年　　份：2021

卷　　号：42

期　　号：5

起止页码：620-623

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2020、CAS、IC、JST、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：利用高质量自支撑Ga N衬底,通过外延方法制备了垂直结构的Ga N基p-i-n型二极管结构。通过对材料结构、杂质浓度分布以及对器件整流特性的研究,探究了影响垂直结构器件特性的关键因素。结果表明,在同质外延的制备过程中,衬底表面的粗糙程度将使制备的环形结构具有不规则形状,这种不规则电极对垂直结构器件的性能将产生不利影响;此外,多种杂质在界面处聚集,进而形成平面漏电通道,是降低器件耐压值的主要因素。

关 键 词：Ga N  P-I-N 垂直结构  反向漏电

分 类 号：TN364]