文献类型：期刊文章

作　　者：汪海波[1,2] 蒋先伟[1,2]

WANG Haibo;JIANG Xianwei(School of Electronic Information and Electrical Engineering,Hefei Normal University,Hefei 230601,China;Anhui Province Key Laboratory of Simulation and Design for Electronic Information System,Hefei 230601,China)

机构地区：[1]合肥师范学院电子信息与电气工程学院,合肥230601 [2]电子信息系统仿真设计安徽省重点实验室,合肥230601

出　　处：《中国表面工程》

基　　金：安徽省高校自然科学基金(KJ2020A0091);电子信息系统仿真设计安徽省重点实验室开放课题(2019ZDSYSZB02);安徽省高校优秀人才支持计划(gxyq2020042)资助项目。

年　　份：2021

卷　　号：34

期　　号：4

起止页码：67-73

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2020、CAS、CSCD、CSCD2021_2022、EI、IC、JST、RCCSE、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：利用胶体二氧化硅在胺的辅助下对硅片进行抛光是微电子工业中的一种典型制造工艺,其动力学过程仍然不清楚。研究了在硅抛光中加入不同浓度乙二胺(EDA)对抛光速率的影响,结果表明EDA浓度提高时,硅的抛光速率逐渐增大,并且在质量分数5%时增加74.5%。为了揭示其中的作用机理,对EDA和Si在水中的电离性质作了分析,对硅片表面在EDA碱性溶液中的接触角以及Si经过EDA溶液浸泡后的表面作了X射线光电子能谱(XPS)测试,进一步采用基于反应力场的分子动力学模拟了动态反应过程。分析表明EDA和硅片表面不仅有强烈的库仑吸附作用,且Si和EDA通过Si-N进一步形成化学键,其中EDA中的N原子与硅表面原子能形成两种结构,使附近的Si-Si和Si-O键极化。基于这些测试,最终解释了硅在含有EDA碱性抛光液中的抛光动力学过程,此作用机制可为硅衬底加工的抛光液研制提供一定的技术指导。

关 键 词：化学机械抛光 硅片  抛光速率 X射线光电子能谱(XPS)  反应动力学

分 类 号：TH117]