文献类型：期刊文章

作　　者：李蓉[1] 杨非凡[1] 周毅坚[1] 彭文博[1] 梅梦岩[1] 赵洋[1] 王辉[1]

Li Rong;Yang Feifan;Zhou Yijian;Peng Wenbo;Mei Mengyan;Zhao Yang;Wang Hui(Henan Key Laboratory of Photoelectric Energy Storage Materials and Applications,School of Physics and Engineering,Henan University of Science and Technology,Luoyang 471023,China)

机构地区：[1]河南科技大学物理工程学院,河南省光电储能材料与应用重点实验室,河南洛阳471023

出　　处：《半导体技术》

基　　金：国家自然科学基金资助项目(61674052,11404097);河南省科技攻关项目(212102210223);河南省优秀青年科学基金资助项目(212300410041);河南省高等学校重点科研项目(20A140012);河南省高等学校青年骨干教师培养对象项目(2018GGJS054);河南科技大学大学生研究训练计划(SRTP)项目(2020180,2020187)。

年　　份：2021

卷　　号：46

期　　号：10

起止页码：783-787

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2020、CAS、JST、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：采用射频磁控溅射法在蓝宝石(Al_(2)O_(3))衬底上制备Ga_(2)O_(3)薄膜,研究溅射温度对Ga_(2)O_(3)薄膜晶体结构、表面形貌、光学特性的影响。X射线衍射结果显示,温度过低不利于薄膜晶化,随着温度的升高,结晶质量变好;通过计算薄膜晶体的粒径、晶面间距、非均匀应变和织构系数,发现四组样品均沿(201)晶面择优生长,450℃时所制备的Ga_(2)O_(3)薄膜结晶质量最好。扫描电子显微镜(SEM)结果表明,随着温度的升高,Ga_(2)O_(3)薄膜粒径逐渐增大,结晶质量变好。光学吸收谱图表明,随着温度的升高,Ga_(2)O_(3)薄膜禁带宽度先增大后减小,平均值为4.88 eV。透射谱图表明,Ga_(2)O_(3)薄膜在可见光波段的平均透过率约为85%,适合作为高信噪比紫外探测器的吸收层。该项研究为Ga_(2)O_(3)在紫外探测及高功率电子器件领域的应用提供了参考。

关 键 词：磁控溅射 Ga_(2)O_(3)薄膜  溅射温度  晶体结构 光学特性

分 类 号：TN304.2]