文献类型：期刊文章

作　　者：董志超[1] 雷程[1] 梁庭[1] 薛胜方[1] 宫凯勋[1] 武学占[1]

DONG Zhichao;LEI Cheng;LIANG Ting;XUE Shengfang;GONG Kaixun;WU Xuezhan(Key Laboratory of Instrumentation Science&Dynamic Measurement,Ministry of Education,School of Instrument and Electronics,North University of China,Taiyuan 030051,China)

机构地区：[1]中北大学仪器与电子学院仪器科学与动态测试教育部重点实验室,山西太原030051

出　　处：《传感器与微系统》

年　　份：2021

卷　　号：40

期　　号：11

起止页码：65-68

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2020、CSCD、CSCD_E2021_2022、JST、RCCSE、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：绝缘体上硅(SOI)压阻式压力传感器理论工作温度可达450℃,但传统的器件在高温、振动以及高腐蚀环境中电连接容易失效。开展基于无引线倒装式封装芯片方法的研究。首先,在完成SOI压力传感器芯片制备的基础上,提出了基于阳极键合工艺和玻璃通孔填充(TGV)工艺的倒装式封装方案;其次,研究带有图形的硼硅玻璃和SOI阳极键合工艺,以及基于电镀工艺的通孔金属填充工艺,并对键合强度、键合界面、金属填充效果以及电连接性能进行测试;最后,针对封装好的芯片在常温环境下进行传感器气密性、电连接性能、线性度以及重复度等性能进行测试,进一步验证无引线倒装式封装方法的可行性和有效性。

关 键 词：绝缘体上硅(SOI)  无引线倒装  阳极键合 玻璃通孔填充(TGV)  气密性  

分 类 号：TP212]