文献类型：期刊文章

作　　者：马蓉[1] 崔斌[2] 胡登卫[1] 王艳[1]

MA Rong;CUI Bin;HU Deng-wei;WANG Yan(Engineering Research Center of Advanced Ferroelectric Functional Materials, College of Chemistry and Chemical Engineering, Baoji University of Arts and Sciences, Baoji 721013, Shaanxi, China;College of Chemistry and Materials Science, Northwest University, Xi'an 710127, Shaanxi, China)

机构地区：[1]宝鸡文理学院化学化工学院,铁电功能材料工程(技术)研究中心,陕西宝鸡721013 [2]西北大学化学与材料科学学院,陕西西安710127

出　　处：《宝鸡文理学院学报（自然科学版）》

基　　金：陕西省自然科学基础研究计划项目(2021JQ-810);陕西省教育厅专项科研计划项目(19JK0035);陕西省横向课题(2021-KJHX001)。

年　　份：2021

卷　　号：41

期　　号：3

起止页码：46-50

语　　种：中文

收录情况：AJ、CAS、IC、MR、ZMATH、普通刊

摘　　要：目的通过Ho掺杂提高Ba(Zr_(0.1)Ti_(0.9))O_(3)(BZT)基Y5V型陶瓷的介电性能。方法采用Sol-gel一步法研究Ho掺杂对BZT基Y5V型纳米粉体及陶瓷微观形貌及介电性能的影响规律。结果当Ho含量为0.10 mol%时,陶瓷最大介电常数为19943,容温变化率(TCC)符合Y5V标准。结论随Ho含量的增加,BZT陶瓷的居里温度向低温方向移动,居里峰展宽,最大介电常数先增大后减小。因此,通过匹配的元素对材料进行掺杂改性,同时辅以优化的制备工艺可以实现陶瓷介电性能的有效提升。

关 键 词：Ho掺杂  Sol-gel一步法  Y5V  介电性能

分 类 号：O611]