期刊文章详细信息
原子层沉积的超薄InN强化量子点太阳能电池的界面输运 ( EI收录)
Enhancement of interface transportation for quantum dot solar cells using ultrathin InN by atomic layer deposition
文献类型:期刊文章
Li Ye;Wang Xi-Xi;Wei Hui-Yun;Qiu Peng;He Ying-Feng;Song Yi-Meng;Duan Zhang;Shen Cheng-Tao;Peng Ming-Zeng;Zheng Xin-He(Beijing Key Laboratory for Magneto-Photoelectrical Composite and Interface Science,School of Mathematics and Physics,University of Science and Technology Beijing,Beijing 100083,China)
机构地区:[1]北京科技大学数理学院,磁光电复合材料与界面科学北京市重点实验室,北京100083
基 金:国家重点研发计划(批准号:2018YFA0703700);国家自然科学基金青年基金(批准号:52002021);中央高校基本科研业务费(批准号:FRF-TP-20-016A2)资助的课题.
年 份:2021
卷 号:70
期 号:18
起止页码:321-328
语 种:中文
收录情况:BDHX、BDHX2020、CAS、CSCD、CSCD2021_2022、EAPJ、EI、IC、JST、RCCSE、SCIE、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、ZMATH、核心刊
摘 要:量子点敏化太阳能电池具有重要的潜在应用,但仍存在界面输运、稳定性和效率改善的挑战.本文采用等离子增强原子层沉积技术在低温下(170-230℃)制备了InN,并将其插入至CdSeTe基量子点太阳能电池光阳极的FTO/TiO2界面处,进行了原子层沉积窗口和电池性能改善的物理机理研究.结果表明,引入InN超薄层后的电池效率整体有明显提升,并且促进了电子的输运,填充因子明显增加.同时,加速了电子抽取、转移和分离,降低了电荷复合的可能性.对插入的InN沉积温度和厚度对电池性能的影响进行了深入分析,并对背后的物理机理进行了讨论.
关 键 词:INN 原子层沉积 填充因子 界面输运
分 类 号:TB383.1[材料类] TM914.4]
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