文献类型：期刊文章

作　　者：何涛[1,2] 闫磊[1] 吕文辉[2] 王行柱[1]

HE Tao;YAN Lei;LYU Wenhui;WANG Xingzhu(College of Physics and Optoelectronic Engineering,Xiangtan University,Xiangtan 411105,Hunan Province,China;Department of Applied Physics,Huzhou University,Huzhou 313000,Zhejiang Province,China)

机构地区：[1]湘潭大学物理与光电工程学院,湖南湘潭411105 [2]湖州师范学院理学院应用物理系,浙江湖州313000

出　　处：《电子元件与材料》

基　　金：湖南省自然科学基金(2019JJ50603);湖州市科技计划(2018ZD2009,2019ZD2012,2019KT31)。

年　　份：2021

卷　　号：40

期　　号：9

起止页码：852-856

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2020、CAS、CSCD、CSCD_E2021_2022、JST、RCCSE、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：采用热蒸发法制备了n型晶体硅/氧化钨(WO_(x))异质结,并将其应用于背结太阳电池,研究了不同背电极对电池性能的影响及电池的变温性能。结果表明:相对于背铝电极,背银电极能够有效地提升电池的光电转换性能,最高光电转换效率达到了15.1%。结合Sun-Voc测试,证实通过降低电池串联电阻可使其光电转换效率提升至17.2%。电池的变温性能测试结果表明,其光电转换效率的温度系数为-0.35%/K,相比传统的铝背场晶体硅电池的温度系数降低22%。

关 键 词：晶体硅太阳电池 氧化钨薄膜  异质结 串联电阻 温度系数

分 类 号：TN36]