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期刊文章详细信息

400nm飞秒激光激发下MoSe_(2)中瞬态光电流引起的太赫兹辐射(特邀)  ( EI收录)  

Terahertz Radiation Induced by Transient Photocurrent of MoSe_(2) Excited by 400 nm Femtosecond Laser(Invited)

  

文献类型:期刊文章

作  者:范泽宇[1] 黄媛媛[1] 杜婉怡[1] 雷珍[1] 周译玄[1] 徐新龙[1]

FAN Zeyu;HUANG Yuanyuan;DU Wanyi;LEI Zhen;ZHOU Yixuan;XU Xinlong(Institute of Photonics&Photon-Technology,School of Physics,Northwest University,Xi′an 710127,China)

机构地区:[1]西北大学物理学院光子学与光子技术研究所,西安710127

出  处:《光子学报》

基  金:国家自然科学基金(Nos.11774288,11974279);陕西省自然科学基金(Nos.2019‒JC25,2020JQ‒567)。

年  份:2021

卷  号:50

期  号:8

起止页码:207-213

语  种:中文

收录情况:AJ、BDHX、BDHX2020、CAS、CSCD、CSCD2021_2022、EI、IC、JST、RCCSE、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、核心刊

摘  要:通过太赫兹发射光谱研究了400 nm飞秒激光脉冲激发层状MoSe2所引起的物理效应。太赫兹振幅随泵浦功率、方位角、偏振角的依赖关系表明,太赫兹辐射主要由表面耗尽场诱导的光生电流和二阶非线性极化诱导的移位电流这两种瞬态光电流效应共同引起,并且两种电流的贡献分别为82%和18%。研究结果可为MoSe2在超快光学领域的发展和应用提供实验支持。

关 键 词:太赫兹光谱 飞秒激光 二硒化钼  光生电流  非线性光学

分 类 号:O433.1]

参考文献:

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同被引文献:

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