文献类型：期刊文章

作　　者：谢海情[1,2] 王振宇[1,2] 曾健平[3] 陆俊霖[1,2] 曹武[1,2] 陈振华[1,2] 崔凯月[1,2]

XIE Haiqing;WANG Zhenyu;ZENG Jianping;LU Junlin;CAO Wu;CHEN Zhenhua;CUI Kaiyue(School of Physics and Electronics Science,Changsha University of Science and Technology,Changsha 410114,China;Hunan Provincial Key Laboratory of Flexible Electronic Materials Genome Engineering,Changsha University of Science and Technology,Changsha 410114,China;School of Physics and Electronics,Hunan University,Changsha410082,China)

机构地区：[1]长沙理工大学物理与电子科学学院,湖南长沙410114 [2]长沙理工大学柔性电子材料基因工程湖南省重点实验室,湖南长沙410114 [3]湖南大学物理与微电子科学学院,湖南长沙410082

出　　处：《湖南大学学报（自然科学版）》

基　　金：国家自然科学基金资助项目(61404011);长沙市科技计划重点项目(kq1901102);湖南省教育厅科学研究项目(20K007)。

年　　份：2021

卷　　号：48

期　　号：8

起止页码：119-124

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2020、CAS、CSCD、CSCD2021_2022、EI、JST、MR、RCCSE、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：通过将具有高阶温度项的MOS管亚阈值区漏电流转换为电压,并与一阶温度补偿电压进行加权叠加,实现二阶温度补偿.采用高增益的运放和负反馈回路提高电源抑制能力,设计一种低温漂高电源电压抑制比带隙基准电压源.基于0.18μm CMOS工艺,完成电路设计与仿真、版图设计与后仿真.结果表明,在1.8 V的电源电压下,电路输出电压为1.22 V;在温度变化为-40~110℃时,温度系数为3.3 ppm/℃;低频电源电压抑制比为-96 dB@100 Hz;静态电流仅为33μA.

关 键 词：带隙基准 温度系数 电源电压抑制比 温度补偿

分 类 号：TN402]