文献类型：期刊文章

作　　者：孙时豪[1] 蔡鑫伦[1]

Sun Shihao;Cai Xinlun(State Key Laboratory of Optoelectronic Materials and Technologies,School of Electronics and Information Technology,Sun Yat-sen University,Guangzhou 510006,China)

机构地区：[1]中山大学电子与信息工程学院光电材料与技术国家重点实验室,广东广州510006

出　　处：《红外与激光工程》

基　　金：国家重点研发项目(2019YFB1803900,2019YFA0705000);广东省珠江人才计划(2017BT01X121);广东省重点研发项目(2019B121204003,2018B030329001);国家自然科学基金(11690031,11761131001)。

年　　份：2021

卷　　号：50

期　　号：7

起止页码：22-24

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2020、CSCD、CSCD2021_2022、EI、IC、JST、RCCSE、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：硅基光子集成平台因其高集成度、CMOS工艺兼容性等特点在光通信领域受到了广泛的关注,而电光调制器作为光通信系统中最为重要的器件之一,承担着将电信号加载至光信号上的关键作用,为打破硅基调制器的性能限制,可利用硅和铌酸锂的大面积键合技术以及铌酸锂低损耗波导刻蚀技术实现高性能硅和铌酸锂异质集成薄膜电光调制器,目前该类调制器的性能可达半波电压3 V,3 dB电光带宽超过70 GHz,插入损耗小于1.8 dB,消光比大于40 dB。文中对比了硅和铌酸锂异质集成调制器的研究现状并介绍了该异质集成薄膜调制器的结构设计与工艺实现方法。

关 键 词：光通信 硅基光子学  硅和铌酸锂异质集成  薄膜电光调制器  

分 类 号：O436]