文献类型：期刊文章

作　　者：明亮[1,2] 黄美玲[2] 段金刚[2] 刘文峰[2] 周浪[1] 黄少文[1]

Ming Liang;Huang Meiling;Duan Jin'gang;Liu Wenfeng;Zhou Lang;Huang Shaowen(Research Institute of Photovoltaics,Nanchang University,Nanchang 330031,China;Hunan Red Solar Photoelectricity Science and Technology Co.,Ltd,.,Changsha 410205,China)

机构地区：[1]南昌大学光伏研究院,南昌330031 [2]湖南红太阳光电科技有限公司,长沙410205

出　　处：《太阳能学报》

基　　金：湖南省创新创业技术投资项目(2017GK5002)。

年　　份：2021

卷　　号：42

期　　号：6

起止页码：109-114

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2020、CAS、CSCD、CSCD_E2021_2022、EI、IC、JST、RCCSE、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：在晶体硅定向凝固过程中,以单晶硅块籽晶和多晶颗粒籽晶为研究对象,研究籽晶晶面、籽晶尺寸及籽晶间铺设方式对晶粒生长及其位错分布的影响。研究结果表明,在单晶硅块籽晶相邻接拼时,其籽晶接拼处容易产生位错聚集,其中相同晶面籽晶间接拼处位错产生的概率较不同晶面籽晶接拼处大。在只有单晶块籽晶竞争时,(110)晶面横向生长速度快,能侵占(100)晶面晶粒的生长空间。当单晶硅块籽晶和多晶颗粒籽晶相邻接拼时,单晶晶粒的生长空间逐渐被多晶晶粒吞并,其中单晶(110)晶面抗多晶侵占的能力和抗位错能力比(100)晶面强;同时,单晶硅块籽晶尺寸越小,铸锭晶粒相对更均匀,晶体中的位错水平越低。

关 键 词：晶粒生长 位错 晶体结构 籽晶 晶面

分 类 号：TM914.4]