期刊文章详细信息
文献类型:期刊文章
JI Hong-lei;ZHANG Ping-ping;CHEN Nai-jun;WANG Dai-qing;ZHANG Yan;GE Zi-yi(Ningbo Institute of Materials Technology and Engineering, Chinese Academy of Sciences, Ningbo 315201 China;University of Chinese Academy of Sciences, Beijing 100049 China;School of Materials Science & Engineering, Beijing Institute of Technology, Beijing 100081 China;R&D Center, TCL Electronics Co., Ltd., Shenzhen 518000, China;Ningbo Excite Technology Co., Ltd., Ningbo 315000, China)
机构地区:[1]中国科学院宁波材料技术与工程研究所,浙江宁波315201 [2]中国科学院大学,北京100049 [3]北京理工大学材料学院,北京100081 [4]TCL电子有限公司研发中心,广东深圳518000 [5]宁波激智科技股份有限公司,浙江宁波315000
基 金:国家重点研发计划(No.2017YFB0404600)。
年 份:2021
卷 号:36
期 号:8
起止页码:1101-1112
语 种:中文
收录情况:AJ、BDHX、BDHX2020、CAS、CSCD、CSCD_E2021_2022、EBSCO、IC、JST、RCCSE、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、核心刊
摘 要:Micro-LED技术被认为是消费电子领域下一个世代的显示技术。尽管市场上已经有很多公司推出了基于Micro-LED显示技术的样机以及应用示范,然而Micro-LED显示技术远没有达到成熟的程度。本文从Micro-LED显示技术的历史、定义及技术挑战进行了综述,重点总结了Micro-LED在工程领域的技术挑战,最后对Micro-LED技术的未来发展方向进行了探讨。Micro-LED在芯片、巨量转移、全彩化等方面仍存在技术挑战,但其所展现出的高分辨、快响应、低能耗、长寿命等突出特点,能满足超小和超大显示的需求,如虚拟/增强显示和电子广告牌,展现出巨大的应用潜力,已经在学术界和工业界引起了广泛研究。
关 键 词:Micro-LED 巨量转移 显示技术 全彩化
分 类 号:TP383.1] TH691.9[计算机类]
参考文献:
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引证文献:
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同被引文献:
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