文献类型：期刊文章

作　　者：全志勇[1,2,3,4] 陈翰韬[1,2] 张伟[1,2] 刘慧慧[1] 许小红[1,2,3,4]

Quan Zhiyong;Chen Hantao;Zhang Wei;Liu Huihui;Xu Xiaohong(School of Chemistry and Materials Science,Shanxi Normal University,Linfen 041004,China;Research Insti-tute of Materials Science,Shanxi Normal University,Linfen 041004,China;Key Laboratory of Magnetic Mole-cules and Magnetic Information Materials of Ministry of Education,Linfen 041004,China;Collaborative Innova-tion Center for Shanxi Advanced Permanent Magnetic Materials and Technology,Linfen 041004,China)

机构地区：[1]山西师范大学化学与材料科学学院,山西临汾041004 [2]山西师范大学材料科学研究院,山西临汾041004 [3]磁性分子与磁信息材料教育部重点实验室,山西临汾041004 [4]山西先进永磁材料与技术协同创新中心,山西临汾041004

出　　处：《稀有金属》

基　　金：国家重点研发计划项目(2017YFB0405703);国家自然科学基金项目(51571136)资助。

年　　份：2021

卷　　号：45

期　　号：6

起止页码：680-686

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2020、CAS、CSCD、CSCD2021_2022、EI、IC、JST、RCCSE、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：非线性反铁磁材料表现出反常霍尔效应(AHE)、反常能斯特效应(ANE)等众多优异的物理性能,成为下一代室温自旋电子器件的重要候选材料,其中,具有420 K反铁磁转变温度的Mn_(3)Sn是最具代表性的材料之一。利用磁控溅射制备了非线性反铁磁Mn_(3)Sn多晶薄膜,薄膜表现出显著AHE,通过改变磁控溅射气压有效调控其矫顽场,室温最大值达到3.03×10^(5)A∙m^(-1),260 K时增加到5.73×10^(5)A∙m^(-1)。X射线粉末衍射和变温霍尔测试表明多晶Mn_(3)Sn薄膜中含有少量铁磁性Mn2Sn杂相,并导致AHE在大约250 K时反常霍尔系数由负号转变为正号;通过不同角度磁场和变温霍尔电阻测试,结合垂直各向异性铁磁薄膜霍尔电阻曲线,澄清了Mn_(3)Sn薄膜中AHE与其磁矩具有较小的关联,而主要源于动量空间非线性反铁磁自旋织构产生的非零贝利曲率。这些结果不仅为反铁磁Mn_(3)Sn中AHE的来源提供实验证据,而且为非线性反铁磁材料在未来高性能自旋电子器件中的应用打下基础。

关 键 词：非线性反铁磁  Mn_(3)Sn薄膜  反常霍尔效应 非零贝利曲率  

分 类 号：O441]