文献类型：期刊文章

作　　者：范志新[1] 潘良玉[1] 何良明[2]

机构地区：[1]河北工业大学应用物理系,天津300130 [2]郴州师范专科学校,郴州423000

出　　处：《光学学报》

年　　份：2002

卷　　号：22

期　　号：11

起止页码：1303-1306

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2000、CAS、CSA-PROQEUST、CSCD、CSCD2011_2012、EI、IC、JST、RCCSE、RSC、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：介绍电致变色薄材料最佳掺杂含量的定量理论。该理论建立了电子薄膜材料的某一物理性能与晶体结构、制备方法和掺杂剂含量之间的联系 ,给出了一个能够拟合实验曲线的具有确定物理意义的抛物线方程。该方程的极值点确定了最佳掺杂含量与晶体结构和制备方法之间的定量关系 ,进而得到了一个最佳掺杂含量的表达式。分析三氧化钨电致变色薄膜材料的掺杂改性的实验结果 ,应用最佳掺杂含量表达式定量计算了三氧化钨以及三氧化钼电致变色薄膜材料的最佳掺杂含量 ,定量计算的结果与实验数据相符合。该理论方法也适用于其他材料最佳掺杂粒子数分数的理论计算。

关 键 词：电致变电薄膜  晶体结构 制备方法  最佳掺杂含量  理论计算  三氧化钨薄膜  

分 类 号：O484.4]