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二维Bi_(2) Se_(3) 薄膜的制备及光电性能研究
Preparation and photoelectric properties of photoelectric properties Bi_(2)Se_(3)films
文献类型:期刊文章
RONG Ze-kun;LUO Si-wei;ZHONG Jian-xin(Hunan Key Laboratory for Micro-Nano Energy Materials and Devices,Faculty of Physics and Optoelectronic Engineering,Xiangtan University,Xiangtan 411105,China)
机构地区:[1]湘潭大学物理与光电工程学院,微纳能源材料与器件湖南省重点实验室,湖南湘潭411105
基 金:国家自然科学基金(11874316);教育部创新研究团队(IRT13093);湖南省教育厅一般项目(19C1746)。
年 份:2021
卷 号:43
期 号:2
起止页码:1-6
语 种:中文
收录情况:AJ、CAS、MR、RCCSE、ZGKJHX
摘 要:二维材料由于其优异的电学和光学性能使其在光电器件领域得到了广泛关注.Bi_(2)Se_(3)是一种基于强自旋轨道耦合作用形成的拓扑绝缘体,具有高热电系数,一个相互交错的Dirac表面态,且只存在一个Dirac点,是一种理想的拓扑绝缘体材料,有潜力成为室温低能耗的自旋电子器件.该文使用气相沉积法分别在SiO^(2)/Si基底和柔性PI基底上生长出了连续、高质量的Bi_(2)Se_(3)薄膜,在此基础上构建了Bi_(2)Se_(3)光电探测器,测试结果表明Bi_(2)Se_(3)薄膜材料具有优越的宽波段光谱响应性能,并在柔性PI基底上表现出优异的抗疲劳性能,在新一代柔性光电器件领域有着非常大的应用潜力.
关 键 词:二维材料 Bi_(2)Se_(3) 光电探测器 柔性器件 气相沉积
分 类 号:O152.1[数学类]
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引证文献:
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