文献类型：期刊文章

作　　者：蒋大伟[1] 樊嘉杰[2,3,4] 胡栋[4] 樊学军[5] 张国旗[4]

JIANG Dawei;FAN Jiajie;HU Dong;FAN Xuejun;ZHANG Guoqi(Hohai University,Chang Zhou 213022,China;Institute of Future Lighting,Academy for Engineering&Technology,Fudan University,Shanghai 200433,China;Shanghai Research Center for Silicon Carbide Power Devices Engineering&Technology,Shanghai 200433,China;Department of Microelectronics,EEMCS Faculty,Delft University of Technology,Delft 2628,the Netherlands;Department of Mechanical Engineering,Lamar University,Beaumont TX 77710,USA)

机构地区：[1]河海大学,常州213022 [2]复旦大学,工程与应用技术研究院超越照明研究所,上海200433 [3]上海市碳化硅半导体功率器件工程技术研究中心,上海200433 [4]Department of Microelectronics,EEMCS Faculty,Delft University of Technology,Delft 2628,the Netherlands [5]Department of Mechanical Engineering,Lamar University,Beaumont TX 77710,USA

出　　处：《焊接学报》

基　　金：国家自然科学基金资助项目(51805147);江苏省六大人才高峰项目(GDZB-017).

年　　份：2021

卷　　号：42

期　　号：3

起止页码：7-13

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2020、CAS、CSCD、CSCD2021_2022、EI、IC、JST、RCCSE、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：为了满足第三代半导体低温封装、高温服役的要求,纳米金属颗粒烧结封装互连逐渐替代传统钎料回流焊工艺,而高致密度烧结是实现高可靠性封装的必要条件之一.为了研究纳米铜颗粒烧结互连机理,首先通过非等径双球三维密集堆积模型构建理论颗粒配比与堆积孔隙率之间的关系,然后采用蒙特卡罗仿真模拟不同粒径比的双球模型颗粒烧结过程,最后通过纳米铜混合烧结试验来验证理论推算和仿真模拟结果.结果表明,根据3种三维密集堆积模型估算,孔隙率最低时的颗粒粒径比在10∶1~5∶1之间;仿真模拟结果显示,粒径比为5∶1时的双球模型收缩率最大;选择250和50 nm两种粒径纳米铜进行混合烧结试验,证实烧结致密度最佳条件时的颗粒质量比为8∶1,与理论计算结果相符.由此可见,该方法可以为纳米铜烧结在第三代半导体封装互连中的应用和工艺优化提供了理论支持.

关 键 词：第三代半导体 封装互连  纳米铜烧结  蒙特卡罗仿真模拟  致密性

分 类 号：TG406]