文献类型：期刊文章

作　　者：刘培培[1] 文剑豪[1] 魏进希[1] 王冠宇[1] 周春宇[2]

LIU Peipei;WEN Jianhao;WEI Jinxi;WANG Guanyu;ZHOU Chunyu(College of Electronic Engineering,Chongqing University of Posts and Telecommunications,,Chongqing 400065,China;Key Laboratory for Microstructures Materials Physics of Hebei Province,School of Science,Yanshan University,Qinhuangdao 066004,China)

机构地区：[1]重庆邮电大学光电工程学院,重庆400065 [2]燕山大学理学院河北省微结构材料物理重点实验室,河北秦皇岛066004

出　　处：《重庆理工大学学报（自然科学）》

基　　金：国家自然科学基金项目(61704147);河北省教育厅科学基金项目(QN2017150)。

年　　份：2021

卷　　号：35

期　　号：5

起止页码：163-169

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2020、CAS、JST、RCCSE、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：为了提高器件的频率特性,设计了一种表面覆盖氮化物(Si_(3)N_(4))应力膜的应变硅SOI SiGe异质结双极晶体管结构,通过在器件结构的最上层淀积一层Si_(3)N_(4),使其在基区引入单轴压应力,增强载流子的迁移率,来提高器件的截止频率f_(T)和最高振荡频率f_(max)。采用SILVACO软件进行仿真,重点研究不同埋氧化层厚度和氮化膜对器件频率特性的影响。结果表明:在埋氧化层厚度为190nm,基区Ge组分为17%~30%的阶梯型分布且淀积Si_(3)N_(4)薄膜引入应力时,截止频率f_(T)约为638GHz,最高振荡频率f_(max)约为795GHz。与传统的SOISiGeHBT相比,截止频率f_(T)提高了38GHz,最高振荡频率f_(max)提高了44GHz。

关 键 词：单轴应变  SOI SiGe HBT  埋氧化层厚度  频率特性

分 类 号：TN322+.8]