文献类型：期刊文章

作　　者：董汝昆[1] 吴绍华[1] 王柯[1] 尹国良[1] 史娜娜[1] 姚杨[1] 郭晨宇[1]

DONG Rukun;WU Shaohua;WANG Ke;YIN Guoliang;SHI Nana;YAO Yang;GUO Chenyu(Yunnan KIRO-CH Photonics Co.Ltd.,Kunming 650223,China)

机构地区：[1]云南北方驰宏光电有限公司,云南昆明650223

出　　处：《红外技术》

年　　份：2021

卷　　号：43

期　　号：5

起止页码：510-515

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2020、CSCD、CSCD2021_2022、JST、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：锗因其资源稀缺、优异的光学和物理性能,广泛应用于光纤系统、红外光学系统、电子和太阳能应用、探测器等高科技领域,是战略性产业所需的重要功能材料和结构材料。简单介绍了目前国内锗单晶生长的两种主要方法:直拉法(Czochralski,CZ)和垂直梯度凝固法(vertical gradient freeze,VGF)。对国内和国外知名锗材料生产企业的锗单晶生长方法、直径、电阻率等相关技术参数,进行了统计和比较。针对不同的单晶材料性能,分析了红外光学用锗单晶、太阳能电池用锗单晶和高纯锗单晶的应用领域和发展现状。

关 键 词：锗 锗单晶 直拉法 垂直梯度凝固法  

分 类 号：TG146[材料类]