文献类型：期刊文章

作　　者：彭洋[1] 陈明祥[2] 罗小兵[3]

PENG Yang;CHEN Ming-xiang;LUO Xiao-bing(School of Aerospace Engineering, Huazhong University of Science and Technology, Wuhan 430074, China;School of Mechanical Science and Engineering, Huazhong University of Science and Technology, Wuhan 430074, China;School of Energy and Power Engineering, Huazhong University of Science and Technology, Wuhan 430074, China)

机构地区：[1]华中科技大学航空航天学院,湖北武汉430074 [2]华中科技大学机械科学与工程学院,湖北武汉430074 [3]华中科技大学能源与动力工程学院,湖北武汉430074

出　　处：《发光学报》

基　　金：国家重点研发计划(2016YFB0400804);国家自然科学基金(51805196,51775219)资助项目。

年　　份：2021

卷　　号：42

期　　号：4

起止页码：542-559

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2020、CAS、CSCD、CSCD2021_2022、EI、IC、JST、RCCSE、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：深紫外发光二极管(Deep-ultraviolet light-emitting diode,DUV-LED)具有环保无汞、寿命长、功耗低、响应快、结构轻巧等诸多优势,在杀菌消毒、生化检测、医疗健康、隐秘通讯等领域具有重要应用价值。近年来,深紫外LED技术取得了快速发展,主要体现在光效和可靠性的不断提高,这一方面得益于芯片制造过程中氮化物材料外延和掺杂技术的进步,另一方面归功于深紫外LED封装技术的发展。但是,与波长较长的近紫外和蓝光LED相比,深紫外LED的光效和可靠性仍有很大提升空间。本综述重点对深紫外LED封装关键技术进行了系统分析,包括封装材料选择、封装结构设计、封装工艺优化、反射光损耗机制以及结温和热管理等,同时从提高光效与器件可靠性角度阐述了深紫外LED封装的最新研究进展,并对后续技术发展进行了展望。

关 键 词：深紫外LED  封装技术 光效 可靠性

分 类 号：TN312.8]