文献类型：期刊文章

作　　者：彭燕[1,2] 陈秀芳[1,2] 谢雪健[1,2] 徐现刚[1,2] 胡小波[1,2] 杨祥龙[1,2] 于国建[2] 王垚浩[2]

PENG Yan;CHEN Xiufang;XIE Xuejian;XU Xiangang;HU Xiaobo;YANG Xianglong;YU Guojian;WANG Yaohao(Institute of Novel Semiconductors,State Key Laboratory of Crystal Materials,Shandong University,Jinan 250100,China;Guangzhou Summit Crystal Semiconductor Co.,Ltd.,Guangzhou 511458,China)

机构地区：[1]山东大学,晶体材料国家重点实验室,新一代半导体材料研究院,济南250100 [2]广州南砂晶圆半导体技术有限公司,广州511458

出　　处：《人工晶体学报》

基　　金：广东省重点领域研发计划(2019B010126001)。

年　　份：2021

卷　　号：50

期　　号：4

起止页码：619-628

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2020、CAS、IC、JST、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：碳化硅(SiC)被认为是最重要的宽禁带半导体材料之一,具有禁带宽度大、击穿电场高、热导率高、电子饱和速率高、抗辐射能力强等优越性质。基于SiC材料制备的半导体器件不仅能在更高的温度下稳定运行,而且在高电压、高频率状态下也具有更高的可靠性。近20年来,随着材料生长技术、制造工艺与器件物理的迅速发展,SiC材料及器件在雷达、5G通信、电动汽车等领域获得了广泛应用,对国防工业发展、国家信息安全、国民经济建设均产生了极其重要的影响。在以SiC为基础的大功率半导体器件产业链中,高质量的SiC单晶制备及其产业化是最为重要的一环。本文针对半绝缘SiC单晶衬底材料国内外发展进行了分析归纳,重点介绍了山东大学半绝缘SiC的研究历程、现状,并对研究和产业发展、存在的挑战做了论述。

关 键 词：SiC单晶衬底  微管密度  6英寸  半绝缘

分 类 号：TQ163.4]