文献类型：期刊文章

作　　者：唐松浩[1] 肖湘宁[2] 陶顺[2]

TANG Songhao;XIAO Xiangning;TAO Shun(State Grid Beijing Chaoyang Electric Power Company,Beijing 100124,China;State Key Laboratory for Alternate Electrical Power System with Renewable Energy Sources(North China Electric Power University),Beijing 102206,China)

机构地区：[1]国网北京市电力公司朝阳供电公司,北京100124 [2]华北电力大学新能源国家重点实验室,北京102206

出　　处：《电力电容器与无功补偿》

年　　份：2021

卷　　号：42

期　　号：2

起止页码：103-109

语　　种：中文

收录情况：JST、普通刊

摘　　要：随着接入电网的半导体器件开关频率的提高,换流器注入电网的谐波向着高频化方向延伸。超高次谐波是配电网电力电子化必然带来的电能质量新问题之一。本文针对非故意发射超高次谐波,从PWM脉宽调制的原理出发,分析了非故意发射超高次谐波产生原因及频率分布特征,并给出了一种能够反映超高次谐波典型特征的优选聚合频带方法,进一步分析了不同因素对超高次谐波发射的影响,为超高次谐波的检测与识别、相关标准的制定以及治理方法提供理论依据。

关 键 词：超高次谐波 非故意发射  分布特征  影响  优选聚合频带  

分 类 号：TM935]