文献类型：期刊文章

作　　者：李成明[1,2] 苏宁[3] 李琳[4] 姚威振[1] 杨少延[1,5]

LI Cheng-ming;SU Ning;LI Lin;YAO Wei-zhen;YANG Shao-yan(Key Laboratory of Semiconductor Materials Science,Institute of Semiconductors,Chinese Academy of Sciences,Beijing 10083,China;Dongguan Institute of Opto-Electronics Peking University,Dongguan 523808,China;Shenyang Vacuum Technology Institute Co.,Ltd.,Shenyang 110042,China;Hunan Institue of Information Technology,Changsha 410151,China;Center of Materials Science and Optoelectronics Engineering,University of Chinese Acasdemy of Sciences,Beijing 100049,China)

机构地区：[1]中国科学院半导体研究所,中国科学院半导体材料科学重点实验室,北京100083 [2]北京大学东莞光电研究院,广东东莞523808 [3]沈阳真空技术研究所有限公司,辽宁沈阳110042 [4]长沙(星沙)经济技术开发区毛塘工业园区湖南信息学院,湖南长沙410151 [5]中国科学院大学,材料与光电研究中心,北京100049

出　　处：《真空》

基　　金：国家自然科学基金项目(Nos.61774147);国家重点研发计划(No.2017YFB0404201);广东省财政补贴项目(粤财工【2015】639号)。

年　　份：2021

卷　　号：58

期　　号：2

起止页码：1-5

语　　种：中文

收录情况：CAS、ZGKJHX、普通刊

摘　　要：以氮化镓(GaN)为代表的第三代半导体材料,是我国重要战略发展方向之一,而氢化物气相外延(HVPE)作为一种重要材料生长技术,是有效制备单晶材料的工艺手段,本文提出了一种分层次递变流速下HVPE流场与温度场,在垂直腔结构条件下,模拟从腔体中间区域到边缘区域不同流速层次条件下,腔内材料生长区域反应前驱物分布,得出结论:在边缘喷射区域流速为中心区域流速三倍时,反应前驱物可以有效分布在衬底托盘表面。最后,在蓝宝石衬底GaN籽晶表面进行HVPE材料生长,获得平均厚度为20.1μm,均匀性起伏6.9%的GaN单晶,证明理论优化设计下生长出良好的单晶薄膜材料。

关 键 词：氢化物气相外延 反应腔体  氮化镓 数值模拟  喷管  

分 类 号：O484.1]