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期刊文章详细信息

STM32单片机在新型电容测量中的应用    

Implementation of New Capacitance Measurement Based on STM32

  

文献类型:期刊文章

作  者:张昌胜[1] 宋建萍[1] 郑业爽[1] 蒋小辉[1]

ZHANG Changsheng;SONG Jianping;ZHENG Yeshuang;JIANG Xiaohui(Department of Mechanical and Electrical,College of Science and Technology of China Three Gorges University,Hubei 443002,China)

机构地区:[1]三峡大学科技学院机械电气学部,湖北443002

出  处:《集成电路应用》

年  份:2021

卷  号:38

期  号:2

起止页码:16-17

语  种:中文

收录情况:普通刊

摘  要:基于一阶R-C电路,根据电路动态性能测量电容C大小,较传统的测量方法其自动化水平及精度都有一定提升。采用上-下位机模式,在下位机中对R-C电路动态性能分析,获得电容测量值并上传至上位机,上位机对数据进行处理及误差分析,并自动生成数据文件保存。该测量仪经实践验证,操作简单、精度高、快速高效且扩展性及应用性较强。

关 键 词:R-C电路 动态性能 电容测量

分 类 号:TP212] TP368.12]

参考文献:

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同被引文献:

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