文献类型：期刊文章

作　　者：金雪莲[1,2] 吴雪梅[1,2] 诸葛兰剑[3] 金成刚[4]

JIN Xuelian;WU Xuemei;ZHUGE Lanjian;JIN Chenggang(School of Physical Science and Technology,Soochow University,Soochow 215006,China;Provincial Key Laboratory of Thin Films,Soochow University,Soochow 215006,China;Soochow University Analysis and Testing Center,Soochow 215006,China;Laboratory for Space Environment and Physical Sciences,Harbin Institute of Technology,Harbin 150001,China)

机构地区：[1]苏州大学物理科学与技术学院,苏州215006 [2]江苏省薄膜材料重点实验室,苏州215006 [3]苏州大学分析测试中心,苏州215006 [4]哈尔滨工业大学空间环境与物质科学研究院,哈尔滨150001

出　　处：《材料导报》

基　　金：国家自然科学基金(11505123,11435009)。

年　　份：2021

卷　　号：35

期　　号：7

起止页码：7176-7182

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2020、CAS、CSCD、CSCD2021_2022、EI、IC、JST、RCCSE、SCOPUS、UPD、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：电介质和金属表面被激发出来的二次电子(Secondary electron emission,SEE)可以显著地改变该表面附近的电势分布和通量。在一些情况下,如电子束焊机、扫描电子显微镜、透射式电子显微镜、电子衍射仪、俄歇电子能谱仪、电子倍增管等应用中,二次电子的次级倍增效应得到很好的应用。然而在另一些情况下,例如射频放大器、粒子加速器和霍尔推进器、电子真空管、空间宇宙飞行器表面等应用中,二次电子会对仪器产生不利的影响。因此,抑制二次电子发射及研究减少二次电子产额(Secondary electron yield,SEY)是非常有意义的。现有的抑制二次电子发射的研究方法有外加偏置场法和表面处理法,其中通过外加电场或磁场来抑制二次电子的激发会对入射束流、束斑产生不利影响,因此表面处理法更具优势。表面处理法主要分为三类:表面陷阱构造(矩形以及三角形的凹槽、微孔结构、纤维结构、泡沫结构等)、表面镀膜(石墨烯膜、TiN膜等)、表面束流处理(激光刻蚀、磁控溅射法)。这些抑制二次电子激发的方法主要为了达到两个目的,一是减少物体表面的真二次电子的发射,二是捕获发射的二次电子,使之不能逃逸。本文总结了一些抑制二次电子激发的方法,比较不同方法或不同影响因素对二次电子的影响。

关 键 词：二次电子发射 表面构造  表面镀膜 离子束轰击  

分 类 号：O53]