文献类型：期刊文章

作　　者：李祥[1] 马海[1] 王晓丹[1] 陈飞飞[1] 曾雄辉[2]

Li Xiang;Ma Hai;Wang Xiaodan;Chen Feifei;Zeng Xionghui(Jiangsu Key Laboratory of Micro and Nano Heat Fluid Flow Technology and Energy Application,School of Mathematics and Physics,Suzhou University of Science and Technology,Suzhou 215009,China;Suzhou Institute of Nano-Tech and Nano-Bionics,Chinese Academy of Sciences,Suzhou 215123,China)

机构地区：[1]苏州科技大学数理学院江苏省微纳热流技术与能源应用重点实验室,江苏苏州215009 [2]中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所,江苏苏州215123

出　　处：《稀有金属》

基　　金：江苏省自然科学基金项目(BK20191456);国家自然科学基金项目(61974158,61306004);江苏省十三五重点学科项目(20168765);江苏省研究生科研创新计划项目(KYCX19_2017);苏州科技大学研究生培养创新工程项目(SKCX18_Y11)资助。

年　　份：2020

卷　　号：44

期　　号：11

起止页码：1170-1176

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2017、CAS、CSCD、CSCD2019_2020、EI、IC、JST、RCCSE、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：通过离子注入,将Eu和Mg共掺杂到金属有机化学气相沉积方法生长的GaN薄膜中,Mg的注入剂量保持为5×10^(13)cm^(-2),Eu的剂量依次为1×10^(14),5×10^(14)和1×10^(15)cm^(-2)。采用X射线衍射(XRD)、Raman散射和光致发光研究了样品的结构和发光特性。X射线衍射和Raman散射揭示了GaN:Eu样品和GaN:Eu,Mg样品内部的应力随Eu注入剂量变化展现出相同的变化趋势,在Eu注入剂量从1×10^(14)cm^(-2)提高到5×10^(14)cm^(-2)后会导致GaN晶格收缩,产生张应力;当Eu注入剂量从5×10^(14)cm^(-2)提高到1×10^(15)cm^(-2),会导致晶格膨胀,产生压应力。光致发光测试结果表明,GaN:Eu,Mg样品中Mg的存在能够减少Eu周围的本征缺陷,抑制黄光发射,增强GaN基质与Eu^(3+)之间的能量传递,导致与Eu相关的发射峰强度整体增强,且Mg的存在并不改变Eu相关的发光峰峰位,也没有引入新的发光峰。随着Eu/Mg剂量比的增加,发光强度增强倍数呈现先增加后减小的趋势,且在Eu/Mg剂量比为10∶1时,此时Eu发光得到最大程度的增强,为GaN:Eu发光强度的6.6倍。

关 键 词：光电子学 GaN  离子注入 光致发光 光学特性  

分 类 号：TN304]