文献类型：期刊文章

作　　者：房丹[1] 张强[1] 李含[1] 谷开慧[1]

Fang Dan;Zhang Qiang;Li Han;Gu Kaihui(Department of Optical and Electronical Science,College of Optical and Electronical Information,Changchun University of Science and Technology,Changchun,Jilin 130022,China)

机构地区：[1]长春理工大学光电信息学院光电科学分院,吉林长春130022

出　　处：《激光与光电子学进展》

基　　金：吉林省科技厅项目(20200301052RQ)。

年　　份：2020

卷　　号：57

期　　号：23

起止页码：255-261

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2017、CSCD、CSCD2019_2020、IC、JST、RCCSE、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：在利用分子束外延(MBE)技术生长GaSb薄膜材料过程中,利用反射高能电子衍射仪(RHEED)实现了GaSb薄膜制备的实时监控。利用RHEED衍射振荡图样,对衬底表面的脱氧化层和生长过程进行分析和研究,得到了生长参数与衍射图样变化之间的关系,确定了衬底脱氧化层的温度;通过计算生长速率,实现了源温度、束流比和生长温度的优化;利用双晶X射线衍射(XRD)测试技术对GaSb外延薄膜层的表面生长质量进行初步表征和分析,证明了实验生长的薄膜材料基本可满足器件制备的要求,为下一步采用MBE制备量子阱及超晶格结构提供了实验依据。

关 键 词：薄膜  反射高能电子衍射 GASB 分子束外延 生长速率

分 类 号：TN304]