文献类型：期刊文章

作　　者：官郭沁[1] 邹荣[2] 左青云[3] 田盼[3] 吕杭炳[4] 田志[2] 王奇伟[2] 曾敏[1] 杨志[1]

GUAN Guoqin;ZOU Rong;ZUO Qingyun;TIAN Pan;LÜ Hangbing;TIAN Zhi;WANG Qiwei;ZENG Min;YANG Zhi(Key Laboratory of Thin Film and Microfabrication(Ministry of Education),Department of Micro/Nano Electronics,School of Electronic Information and Electrical Engineering,Shanghai Jiao Tong University,Shanghai 200240,China;Shanghai Huali Microelectronics Co.,Ltd.,Shanghai 201314,China;Shanghai Integrated Circuit R&D Center Co.,Ltd.,Shanghai 201210,China;Institute of Microelectronics of the Chinese Academy of Sciences,Beijing 100029,China)

机构地区：[1]上海交通大学,电子信息与电气工程学院,微纳电子学系,薄膜与微细技术教育部重点实验室,上海200240 [2]上海华力微电子有限公司,上海201314 [3]上海集成电路研发中心有限公司,上海201210 [4]中国科学院微电子研究所,北京100029

出　　处：《现代电子技术》

基　　金：国家重点研发计划(2018YFB0407500)。

年　　份：2021

卷　　号：44

期　　号：6

起止页码：1-5

语　　种：中文

收录情况：IC、RCCSE、ZGKJHX、普通刊

摘　　要：采用物理气相沉积和等离子体氧化工艺制备氧化钽阻变薄膜,利用X射线光电子能谱分析技术对阻变薄膜进行表征。系统研究等离子体氧化时间和阻挡层厚度对初始化电压的影响。研究表明,器件初始化电压随氧化时间增加而增大,同时增加阻挡层厚度可有效降低初始化电压。基于40 nm互补金属氧化物半导体量产工艺平台,成功地在40 nm晶体管后段集成了阻变单元,制备了氧化钽阻变存储器,其初始化电压为3.3 V,置位/复位电压在1.8 V以内。

关 键 词：氧化钽 阻变存储器  电压调制  初始化电压  阻变单元  置位/复位电压  

分 类 号：TN389-34]