文献类型：期刊文章

作　　者：杨非凡[1] 付宏远[1] 樊义棒[1] 任煜豪[1] 李静杰[1] 赵洋[1] 甄志强[1] 王辉[1]

YANG Fei-Fan;FU Hong-Yuan;FAN Yi-Bang;REN Yu-Hao;LI Jing-Jie;ZHAO Yang;ZHEN Zhi-Qiang;WANG Hui(Henan Key Laboratory of Photoelectric Energy Storage Material and Applications,School of Physics and Engineering,Henan University of Science&Technology,Luoyang 471023,China)

机构地区：[1]河南科技大学物理工程学院河南省光电储能材料与应用重点实验室,洛阳471023

出　　处：《原子与分子物理学报》

基　　金：国家自然科学基金(61674052,11404097);河南省高等学校重点科研项目(20A140012);河南省高校省级大学生创新创业训练计划(SRTP)(S201910464024);河南科技大学大学生研究训练计划(SRTP)(2019208);河南科技大学物理与工程学院大学生研究训练计划(SRTP)(wlsrtp201910)。

年　　份：2021

卷　　号：38

期　　号：3

起止页码：123-128

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2020、CAS、IC、JST、核心刊

摘　　要：采用射频磁控溅射法在蓝宝石衬底上制备了InN薄膜.研究了N2流量对InN薄膜的晶体结构、表面形貌、光学和电学特性的影响.X射线衍射(XRD)测试结果显示,InN呈六方纤锌矿结构,具有明显(002)择优取向;SEM与AFM图像显示InN薄膜均匀致密,低N2流量下随流量增加,表面逐渐趋于光滑平整,过高的N2流量使薄膜生长方式发生改变;通过检测薄膜吸收特性,利用线性外推法计算禁带宽度为1.81~1.96 e V;电学测试结果表明,制备的薄膜样品均呈现n型导电特性,且迁移率较低,最大为12.2cm^(2)/v·s;载流子浓度较高,保持在10^(21)cm^(-3)数量级;电阻率较小,范围是0.202~0.33 mΩ·cm.

关 键 词：磁控溅射 INN薄膜 氮气流量  原子排布  

分 类 号：O484.1]