文献类型：期刊文章

作　　者：周德金[1,2] 何宁业[3] 宁仁霞[3] 许媛[3] 徐宏[2] 陈珍海[2,3] 黄伟[1,4] 卢红亮[1]

ZHOU Dejin;HE Ningye;NING Renxia;XU Yuan;XU Hong;CHEN Zhenhai;HUANG Wei;LU Hongliang(School of Microelectronics,Fudan University,Shanghai 200443,China;Wuxi Research Institute of Applied Technologies,Tsinghua University,Wuxi 214072,China;Engineering Technology Research Center of Intelligent Microsystems,Anhui Province,Huangshan University,Huangshan 245041,China;Guangxi Key Laboratory of Precision Navigation Technology and Application,Guilin University of Electronic Technology,Guilin 541004,China)

机构地区：[1]复旦大学微电子学院,上海200443 [2]清华大学无锡应用技术研究院,江苏无锡214072 [3]黄山学院智能微系统安徽省工程技术研究中心,安徽黄山245041 [4]桂林电子科技大学广西精密导航技术与应用重点实验室,广西桂林541004

出　　处：《电子与封装》

基　　金：安徽省重点研究与开发计划项目(201904b11020007);广西精密导航技术与应用重点实验室开放基金(DH201913)。

年　　份：2021

卷　　号：21

期　　号：2

起止页码：35-46

语　　种：中文

收录情况：普通刊

摘　　要：GaN HEMT器件由于其击穿场强高、导通电阻低等优越的性能,在高效、高频功率转换领域中有着广泛的应用前景。栅驱动芯片对于GaN HEMT器件应用起着至关重要的作用。介绍了GaN HEMT器件特性和驱动要求,对其栅驱动芯片的典型架构和每种芯片架构各自的关键实现技术研究现状进行了综述。同时介绍了GaN基单片集成功率IC的发展状况,对栅驱动芯片的实现技术进行了总结。

关 键 词：GaN HEMT  栅驱动电路  电平移位 绝缘隔离  半桥  

分 类 号：TN305]