文献类型：期刊文章

作　　者：郭秦敏[1] 秦志辉[2]

Guo Qin-Min;Qin Zhi-Hui(State Key Laboratory of Refractories and Metallurgy,Wuhan University of Science and Technology,Wuhan 430081,China;Key Laboratory for Micro/Nano Optoelectronic Devices of Ministry of Education,School of Physics and Electronics,Hunan University,Changsha 410082,China)

机构地区：[1]武汉科技大学,省部共建耐火材料与冶金国家重点实验室,武汉430081 [2]湖南大学物理与微电子科学学院,微纳光电器件及应用教育部重点实验室,长沙410082

出　　处：《物理学报》

基　　金：国家自然科学基金(批准号:51772087);中国科学院战略性先导科技专项(B类)(批准号:XDB30000000)资助的课题.

年　　份：2021

卷　　号：70

期　　号：2

起止页码：193-207

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2020、CAS、CSCD、CSCD2021_2022、EI、IC、JST、RCCSE、SCIE、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、ZMATH、核心刊

摘　　要：随着未来信息器件朝着更小尺寸、更低功耗和更高性能方向的发展,构建器件的材料尺寸将进一步缩小.传统的"自上而下"技术在信息器件发展到纳米量级时遇到瓶颈,而气相沉积技术由于其能在原子尺度构筑纳米结构引起极大关注,被认为是最有潜力突破现有制造极限进而在原子尺度构造、搭建物质形态的"自下而上"方法.本文重点讨论适用于低维材料的原子尺度制造的分子束外延技术和原子层沉积/刻蚀技术.简要介绍相关技术中蕴含的科学原理及其在纳米信息器件加工和制造领域的应用,并探讨如何在原子尺度实现对低维功能材料厚度和微观形貌的精密控制.

关 键 词：气相沉积 原子制造  分子束外延 原子层沉积

分 类 号：TN405]