文献类型：期刊文章

作　　者：曹冠龙[1] 李铁[2] 潘国峰[3] 杨学莉[3] 王如[3] 崔军蕊[3] 回广泽[3]

CAO Guan-long;LI Tie;PAN Guo-feng;YANG Xue-li;WANT Ru;CUI Jun-rui;HUI Guang-ze(Technology Transfer Center,Hebei University of Technology,Tianjin 300401,China;State Key Laboratory of Reliability and Intelligence of Electrical Equipment,Hebei University of Technology,Tianjin 300132,China;School of Electronic and Information Engineering,Hebei University of technology,Tianjin 300130,China)

机构地区：[1]河北工业大学技术转移中心,天津300401 [2]省部共建电工装备可靠性与智能化国家重点实验室,河北工业大学,天津300132 [3]河北工业大学电子与信息工程学院,天津300130

出　　处：《光电技术应用》

基　　金：河北省高校自然科学重点项目(ZD2016123);天津市自然科学基金(17JCTPJC54500)。

年　　份：2020

卷　　号：35

期　　号：6

起止页码：15-22

语　　种：中文

收录情况：IC、普通刊

摘　　要：金属氧化物半导体气敏传感器因其灵敏度高、制造成本低、测量方式简单易行等特点受到了广泛关注,在有毒有害气体实时监测方面极具应用潜力。在制备过程中,掺杂作为常用的改性工艺之一,得到了国内外学者的广泛关注。文中将从掺杂的角度综述制备金属氧化物半导体气敏传感器的研究进展,其中包括一元纯金属氧化物、纯金属掺杂、稀土元素掺杂、复合金属氧化物、金属氧化物掺杂等。并对现阶段存在的问题及发展趋势进行了概述。

关 键 词：金属氧化物 半导体 掺杂 气敏传感器 灵敏度  

分 类 号：TN305.3] TM23[材料类]