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期刊文章详细信息

退火温度对PECVD法制备SiO2/Si3N4光学薄膜性能的影响  ( EI收录)  

Effect of annealing temperature on properties of SiO2/Si3N4 optical films prepared by PECVD method

  

文献类型:期刊文章

作  者:吴立宇[1] 李小强[1] 王斌[1,2] 屈盛官[1]

WU Li-yu;LI Xiao-qiang;WANG Bin;QU Sheng-guan(National Engineering Research Center of Near-Net-Shape Forming for Metallic Materials,South China University of Technology,Guangzhou 510640,China;Associate Laboratory of National Research Centre 8182,University of Paris-Saclay,Orsay 91405,France)

机构地区:[1]华南理工大学国家金属材料近净成形工程技术研究中心,广州510640 [2]巴黎萨克雷大学国家科研中心联合实验室8182,法国奥赛91405

出  处:《材料工程》

基  金:GF基础科研计划项目(JCKY2017210B028)。

年  份:2020

卷  号:48

期  号:12

起止页码:75-81

语  种:中文

收录情况:BDHX、BDHX2017、CAS、CSCD、CSCD2019_2020、DOAJ、EI、IC、JST、RCCSE、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、核心刊

摘  要:基于多层光学薄膜的基本原理及算法,采用等离子体增强化学气相沉积方法在GaAs衬底上制备SiO2/Si3N4双层减反射膜,通过原子力显微镜(AFM)、傅里叶变换红外光谱仪(FT-IR)、椭圆偏振仪、X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱分析(XPS)、紫外-可见分光光度计对薄膜的形貌、结构及光学性能进行表征,研究不同退火温度对薄膜性能的影响。结果表明:退火前后薄膜均为结晶态;随着退火温度升高,薄膜反射率及粗糙度逐渐降低,700℃时薄膜平均反射率及粗糙度最低,分别为12.65%和1.64 nm;退火后光谱曲线往短波方向移动了30 nm,呈现典型的“蓝移”现象,表明退火后薄膜光学厚度逐渐降低。

关 键 词:减反射膜 GaAs基太阳能电池  等离子体增强化学气相沉积 退火

分 类 号:O484.4]

参考文献:

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同被引文献:

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