文献类型：期刊文章

作　　者：王艳丰[1,2] 王宏兴[1,2]

WANG Yanfeng;WANG Hongxing(Key Laboratory for Physical Electronics and Devices of the Ministry of Education,Xi’an Jiaotong University,Xi’an 710049,China;Institute of Wide Band Gap Semiconductors and Quantum Devices,School of Electronics and Information Engineering,Xi’an Jiaotong University,Xi’an 710049,China)

机构地区：[1]西安交通大学,电子物理与器件教育部重点实验室,西安710049 [2]西安交通大学电子与信息学部,宽禁带半导体与量子器件研究所,西安710049

出　　处：《人工晶体学报》

基　　金：国家自然科学基金(61804122,61605155,61627812,61705176,11474048);博士后科学基金(2019M653637,2019M660256);东莞市创新创业领军人才引进计划。

年　　份：2020

卷　　号：49

期　　号：11

起止页码：2139-2152

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2017、CAS、EI、IC、JST、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：本综述分析了微波等离子化学气相沉积(MPCVD)单晶金刚石生长及其电子器件近年来的研究进展,并对其进行展望。详细介绍了金刚石宽禁带半导体特性、生长原理、生长设备、衬底处理。研究了影响MPCVD单晶金刚石生长的关键因素,为获得最优生长条件提供指导。分析了横向外延、拼接生长、三维生长等关键性生长技术,逐步提高单晶金刚石的质量和面积。在金刚石掺杂的研究中,详细介绍了n型和p型掺杂的研究进展。通过对金刚石肖特基二极管、氢终端金刚石场效应晶体管、紫外探测器的研究,展现了金刚石在电子器件领域的成果和进展。最后总结了MPCVD单晶金刚石生长及其电子应用过程中面临的挑战,展望了金刚石在电子器件领域的巨大应用前景。

关 键 词：金刚石 MPCVD 横向外延  拼接生长  掺杂  二极管  场效应晶体管 探测器

分 类 号：O78] TN303]