文献类型：期刊文章

作　　者：姜元希[1,2] 刘南柳[2] 张法碧[1] 王琦[2] 张国义[2]

JIANG Yuanxi;LIU Nanliu;ZHANG Fabi;WANG Qi;ZHANG Guoyi(School of Information and Communication,Guilin University of Electronic Technology,Guilin 541004,China;Dongguan Institute of Opto-electronics,Peking University,Dongguan 523808,China)

机构地区：[1]桂林电子科技大学信息与通信学院,桂林541004 [2]北京大学东莞光电研究院,东莞523808

出　　处：《人工晶体学报》

基　　金：国家自然科学基金面上项目(61974005);广东省重点领域研发计划(2020B010169001,2020B090922001);广东省区域联合基金重点项目(2019B1515120091)。

年　　份：2020

卷　　号：49

期　　号：11

起止页码：2038-2045

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2017、CAS、EI、IC、JST、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：氮化镓(GaN)是第三代半导体材料中的典型代表。因其良好的物理化学性能与热稳定特性,是制作光电子器件及电力电子器件的理想材料。采用同质外延技术在GaN单晶衬底上制备GaN基器件是实现其高性能的根本途径。本文综述了GaN单晶衬底制备的氢化物气相外延技术、三卤化物气相外延技术、氨热法及助熔剂法(钠流法)的研究进展,并对未来可能的发展方向提出了展望。

关 键 词：氮化镓 单晶衬底  同质外延  氨热法  钠流法  

分 类 号：TN304]