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溶胶-凝胶法制备氧化锡基薄膜及薄膜晶体管的研究进展 ( EI收录)
Research progress of tin oxide-based thin films and thin-film transistors prepared by sol-gel method
文献类型:期刊文章
Liu Xian-Zhe;Zhang Xu;Tao Hong;Huang Jian-Lang;Huang Jiang-Xia;Chen Yi-Tao;Yuan Wei-Jian;Yao Ri-Hui;Ning Hong-Long;Peng Jun-Biao(Institute of Polymer Optoelectronic Materials and Devices,State Key Laboratory of Luminescence Materials and Devices,South China University of Technology,Guangzhou 510641,China;New Vision Opto-Electronic Technology Co.,Ltd,Guangzhou 510530,China)
机构地区:[1]华南理工大学发光材料与器件国家重点实验室,高分子光电材料与器件研究所,广州510641 [2]广州新视界光电科技有限公司,广州510530
基 金:广东省基础与应用基础研究重大项目(批准号:2019B030302007);国家自然科学基金(批准号:51771074,61574061);国家自然科学基金重大集成项目(批准号:U1601651);广州市科技计划项目(批准号:201904010344);中央高校基本科研业务费专项资金(批准号:2019MS012);2019年广东大学生科技创新培育“攀登计划”专项资金(批准号:pdjh2019a0028,pdjh2019b0041);国家级大学生创新创业训练计划(批准号:201910561005,201910561007);华南理工大学百步梯攀登计划研究项目(批准号:j2tw201902475,j2tw201902203)资助的课题。
年 份:2020
卷 号:69
期 号:22
起止页码:242-257
语 种:中文
收录情况:BDHX、BDHX2017、CAS、CSCD、CSCD2019_2020、EI、IC、JST、RCCSE、SCIE、SCOPUS、WOS、ZGKJHX、ZMATH、核心刊
摘 要:透明导电氧化物(transparent conductive oxides, TCOs)薄膜和透明氧化物半导体(transparent oxide semiconductors, TOSs)薄膜具有高透明度和良好的导电率等特点,广泛应用于太阳能电池、平板显示、智能窗以及透明柔性电子器件等领域.大多数TCOs和TSOs薄膜主要是以氧化铟、氧化锌和氧化锡三种材料为基础衍生来的,其中,氧化铟薄膜中In元素有毒、含量稀少且价格昂贵,会造成环境污染;氧化锌薄膜对酸或碱刻蚀液敏感,薄膜图形化困难;氧化锡薄膜不仅无毒、无污染、价格低廉,还具有良好的电学性能和化学稳定性,具有巨大的发展潜力.目前,薄膜的制备主要依赖于真空镀膜技术.此类技术的缺点在于设备结构复杂且价格昂贵、能耗高、工艺复杂、生产成本高等.相比传统真空镀膜技术,溶胶-凝胶法具有工艺简单、成本低等优点,受到了人们的广泛关注.本文从TCOs和TSOs薄膜的发展现状和发展趋势出发,先介绍了氧化锡薄膜的结构特性、导电机制、元素掺杂理论以及载流子散射机理,然后介绍了溶胶-凝胶法原理和制备方法,接着介绍了近些年来溶胶-凝胶法制备氧化锡基薄膜在n型透明导电薄膜、薄膜晶体管以及p型半导体薄膜中的应用和发展,最后总结了当前存在的问题以及今后研究的方向.
关 键 词:氧化锡 溶胶-凝胶法 透明导电氧化物薄膜 透明氧化物半导体薄膜 薄膜晶体管 p型半导体薄膜
分 类 号:TN304.055] TN321.5
参考文献:
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引证文献:
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同被引文献:
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