文献类型：期刊文章

作　　者：吴春[1] 陈科[1] 南余荣[1] 魏春[1] 曾志成[2]

Wu Chun;Chen Ke;Nan Yurong;Wei Chun;Zeng Zhicheng(College of Information Engineering Zhejiang University of Technology,Hangzhou 310023,China;Hangzhou Silan Integrated Circuit Co.Ltd,Hangzhou 310012,China)

机构地区：[1]浙江工业大学信息工程学院,杭州310023 [2]杭州士兰微电子股份有限公司,杭州310012

出　　处：《电工技术学报》

基　　金：浙江省自然科学基金(LQ18E070005);国家自然科学基金(51807179)资助项目。

年　　份：2020

卷　　号：35

期　　号：22

起止页码：4678-4687

语　　种：中文

收录情况：BDHX、BDHX2017、CSCD、CSCD2019_2020、EI、IC、JST、RCCSE、SCOPUS、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：针对常规估计d轴方波电压注入位置估计方法,受磁场交叉饱和效应影响而导致转子位置估计误差的问题,提出一种考虑磁场交叉饱和效应补偿的变角度方波电压注入永磁同步电机(PMSM)无位置传感器控制策略。该方法首先定义注入电压同步旋转坐标系fg,并在f轴上注入方波电压。f轴与估计d轴之间夹角即为注入角,且该注入角随着磁场交叉饱和效应不同而实时改变。再计算g轴差分电流并用于位置估计,由于方波电压注入角的改变,g轴差分电流中将不再包含交叉饱和效应相关信息,从而可实现准确的位置估计。最后将该文所提变角度方波注入方法与常规估计d轴方波电压注入方法进行实验对比,实验结果表明,所提方法在不同负载转矩、不同转速等工况下,位置估计误差始终维持在零附近,动态响应快,且方便实现。

关 键 词：永磁同步电机方波电压注入  磁场交叉饱和效应  无位置传感器控制

分 类 号：TM351]