文献类型：期刊文章

作　　者：何勇畅[1] 毛小庆[1] 陈志巍[1] 喻青[1] 曹军[1] 高海军[1]

HE Yongchang;MAO Xiaoqing;CHEN Zhiwei;YU Qing;CAO Jun;Gao Haijun(Key Laboratory for RF Circuits and Systems of Ministry of Education,Hangzhou Dianzi University,Hangzhou 310018,P.R.China)

机构地区：[1]杭州电子科技大学射频电路与系统教育部重点实验室,杭州300018

出　　处：《微电子学》

基　　金：国家自然科学基金资助项目(61871161)。

年　　份：2020

卷　　号：50

期　　号：5

起止页码：637-642

语　　种：中文

收录情况：AJ、BDHX、BDHX2017、CAS、IC、JST、ZGKJHX、核心刊

摘　　要：基于0.15μm GaAs pHEMT工艺,设计了一种自混频三倍频器,实现了将X波段信号倍频为Ka波段信号。仿真结果表明,该三倍频器的相对带宽为16%,频率覆盖范围为8.9~10.5 GHz,涵盖了大部分的X波段。当输入信号为0 dBm时,在9.5 GHz频点处的输出功率为-12 dBm。在带宽范围内,谐波抑制比大于15 dBc。采用渐变形电感,提高了电感的Q值,实现了去耦电容接地的无源Marchand巴伦。仿真结果表明,无源巴伦的相对带宽达到120%,幅值平衡度得到了有效提高。该三倍频器具有0.4 V、0.8 V、1 V三个直流偏置,芯片尺寸为1.9 mm×0.67 mm。

关 键 词：三倍频器  自混频 无源Marchand巴伦  倍频器

分 类 号：TN711]